据报道，美光公司披露，其位于纽约州克莱附近的晶圆厂项目将再次大幅延期，预计要到2033年底才能投产，该集群原计划于2025年投产。

       然而，尽管美光公司推迟了克莱附近晶圆厂的建设，但该公司正在加快爱达荷州晶圆厂的建设，并将《芯片法案》（CHIPS Act）的资金重新分配给该工厂。

      根据美光公司6月份正式发布的《环境影响报告书》（EIS）草案，首座晶圆厂（Fab 1）的建设阶段将于2026年底启动，并将持续到2028年下半年或2029年初。通常情况下，一座晶圆厂的全面建设需要12到24个月，具体时间取决于多种因素；因此，预计首座晶圆厂将于2030年左右开始DRAM生产，比最初预期晚五年。

      同一份环境文件将Fab 2的开工时间定为2028年下半年，Fab 3的开工时间定为2033年下半年，Fab 4的开工时间定为2039年上半年。如此安排下，美光克莱园区将于2045年全面建成并达到满负荷生产，较原计划延迟五年。

      “美光将于 2025 年第四季度开始为拟建项目进行初步场地准备工作，预计前两个 DRAM 制造工厂（Fab 1 和 Fab 2）将分别于 2029 年和 2030 年投入运营，其余工厂（Fab 3 和 Fab 4）预计将于 2035 年和 2041 年投入运营，”美光在 6 月份提交的环境影响报告书中的一份声明中写道。

       然而，美光在纽约的项目似乎将面临另一次重大延误。据雪城大学获得的最新环境文件（尚未正式公布）显示，首座晶圆厂的建设周期将从三年延长至约四年，这意味着1号晶圆厂的竣工时间将从2028年下半年推迟至2030年底。

      据报道，美光公司并未具体说明修改时间表的原因，但承认对其与美国商务部签署的61亿美元《芯片法案》融资协议进行了修订。据悉，此次修订将美光在纽约的投产时间延长约两年，原因是该公司据称将提前启动其位于爱达荷州的ID2工厂。爱达荷州的两座工厂——一座已建成，一座正在规划中——将先于克莱县的工厂完工，这表明美光对项目优先级进行了战略性调整。

                                                                                                        来源：爱集微