大陆科技部宣布，在2万多名科技工作者九年多努力下，大陆半导体制造技术已实现五级跳，从130奈米跃升至14奈米，预计2018年14奈米的设备、技术、封装、材料等方面将全面进入产业化。

    此外，大陆更计划在「十三五」期间（2016年至2020年）重点支持7至5奈米技术和3DNAND闪存等国际先进技术研发，支持中国企业在半导体产业实现自主发展，形成特色优势。

    目前中国大陆制造的电子产品已占全球约41%，但半导体自给率却只有7%左右。2006年起，半导体产品更超越石油成为中国最大宗进口产品，2013年以来，年进口额均超过2,000亿美元。

    为实现半导体产业自主创新发展，大陆国务院2008年启动「极大规模集成电路制造装备及成套工艺」国家科技重大专项计划，大陆科技部重大专项办公室主任陈传宏表示，该专项由北京市和上海市政府带头组织实施，共有200多家企事业单位、2万多名科学工作者参与技术攻关，集中在北京、上海、江苏、沈阳、深圳和武汉等六个产业聚集区。

    据北京经济日报及中国证券网报导，科技部与北京及上海市政府23日联袂举行「极大规模集成电路制造装备及成套工艺」成果发布会。

    该专项计划技术总师、中国科学院微电子研究所所长叶甜春表示，该专项实施前，中国积半导体高端装备和材料基本处于空白状态，完全依赖进口。

    叶甜春指出，通过2万科技工作者九年的努力，中国已研制成功14奈米刻蚀机、薄膜沉积等30多种高端装备和靶材、抛光液等上百种材料产品，性能达到国际先进水平

    叶甜春说，2008年以前，大陆集成电路制造最先进的量产工艺为130奈米，研发工艺为90奈米。

    专项实施至今，主流工艺水平提升五代，55、40、28奈米三代成套工艺研发成功并实现量产，22、14奈米先导技术研发取得突破，形成了自主智财权；封装企业从低端进入高端，中国借助这些技术所制造的智能手机、智能卡等芯片产品已大量进入市场，提高了中国信息产业的竞争力。