2017-10-27
满足高压电力电子器件制造所需的4-6英寸通用型SiC单晶生长炉及其配套生长工艺的成功研发,有效促进了碳化硅衬底、外延、器件等制造技术的进步,提高了国内碳化硅产业链的整体设计能力和制造水平,对推动第三代半导体材料、器件产业发展,降低产业链成本,提升我国宽禁带半导体产业的核心国际竞争力具有重要的现实意义。
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