中国电子企业协会

三星2021年量产3nm 工艺芯片

2019-09-16

三星近日在日本举行的“三星晶圆代工论坛”（SFF）上，公布了其新一代工艺的进展，3nm工艺预计2021年量产。

据悉在3nm节点上，三星将从FinFET晶体管转向GAA环绕栅极晶体管工艺。GAA晶体管，三星称之为3GAE工艺。

基于全新的GAA晶体管结构，三星通过使用纳米片设备制造出了MBCFET(Multi-Bridge-ChannelFET，多桥-通道场效应管)。三星称，该技术可以显著增强晶体管性能，并取代FinFET晶体管技术。而且，MBCFET还兼容现有的FinFET制造工艺的技术及设备，从而加速工艺开发及生产。

三星称，与现在的7nm工艺相比，3nm工艺可将核心面积减少45%，功耗降低50%，性能提升35%。

今年4月，三星在其韩国华城的S3Line工厂开始量产7nm芯片。

来源:大半导体产业网

三星2021年量产3nm 工艺芯片

热点观察