2020年三星电子副会长李在镕已经开始其第1个行程，除检查去年底停电产线外，也参访了全球第1个3纳米级半导体开发现场。

      三星电子解决去年底（31日）芯片厂停电风波后，持续开发新技术以确保业界地位。据韩媒报导，李在镕2日参访三星电子华城厂区中的半导体研究所，听取三星电子3纳米制程技术报告，并与半导体（DS）部门主管们讨论新一代半导体策略。

       三星电子3纳米制程将克服半导体微细化极限，通过GAA（Gate-All-Around，多闸极晶体管），能使3纳米芯片的面积比5纳米芯片小35％，耗电量减半外，处理速度还能提高30％以上。

      事实上，李在镕新年第1个活动不仅访问发生停电事故的地方，检查DRAM、NAND闪存开发现场，李在镕也再次向职员展现发展系统半导体的野心。

      去年4月，李在镕发表的《半导体展望2030》计划中，定下10年内成为全球半导体综合冠军的目标，这段时间里，三星电子将在系统半导体领域中投入133万亿韩元，加强移动处理器、人工智能芯片、车用半导体等新一代系统半导体设计，并培养代工事业竞争力。

      李在镕表示，过去的业绩无法保证未来的成功，历史也不是靠等待而来，而是需要创造出来，也得果断屏弃坏习惯、旧思维，开拓新的未来。

                                                                                                                                                                                                                         来源:芯科技