来自日本和台湾科学家的一种新型微芯片，采用c轴定向晶体氧化铟镓锌制成。这项研究的合著者、日本半导体能源实验室公司的SatoruOhshita指出，他们的氧化物半导体场效应晶体管（OSFET）的超低电流操作低于每个电池1毫安，操作效率为143.9万亿次/秒/瓦，这是迄今为止模拟AI芯片中报道得最好的，12月14日在IEDM会议上详细介绍了调查结果。“这些都是极低电流的设备，”Strachan说，“由于所需的电流非常低，您可以将电路块变大，从而获得512×512个存储单元的阵列，而RRAM的典型数字更像是100×100。这是一个巨大的胜利，因为较大的电路块在存储权重方面具有二次优势。”当OSFET与电容器结合时，它们可以以90%以上的准确度保留信息30小时。Strachan说：“这可能是一段足够长的时间，可以将这些信息转移到一些波动性较小的技术上。几十小时的保留时间并不是交易的破坏者。”总之，“研究人员正在探索的这些新技术都是概念验证案例，提出了关于他们未来可能面临的挑战的新问题，”Strachan说，“他们还指出了通往代工厂的道路，这是他们生产大批量、低成本商业产品所需要的。”

                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                         来源:IEEE电气电子工程师学会