在全球半导体制造竞赛中，英特尔位于美国亚利桑那州的Fab 52工厂正成为技术领先与规模优势的双重标杆。这座斥资数十亿美元的超级晶圆厂，不仅搭载全球的芯片制造设备，更以月产4万片晶圆的惊人产能，直接对标台积电在美两座工厂的总和。
技术制高点：18A工艺与EUV光刻机的豪华配置
Fab 52专为英特尔18A（1.8纳米级）及更先进制程打造，首次实现环栅（GAA）RibbonFET晶体管与PowerVia背面供电技术的量产集成。工厂目前已部署4台ASML高端EUV光刻机，包括1台每小时处理220片晶圆的NXE:3800E——这一速度较前代提升37%，另有3台NXE:3600D机型协同作业。更引人瞩目的是，奥科蒂洛园区预留了至少15台EUV光刻机的安装空间，为未来引入高数值孔径（High-NA）设备埋下伏笔。
产能碾压：单厂规模抵台积电双厂
对比台积电Fab 21一期（月产2万片N4/N5工艺晶圆），英特尔Fab 52的产能直接翻倍。即使台积电二期N3工厂投产，Fab 52在先进制程（18A vs N3）和总吞吐量上仍将保持领先。不过，18A工艺的复杂性导致其生产工序比台积电N4多出约30%，这也为良率爬坡带来挑战。
2027年关键节点：从试产到良率
工厂当前正小批量生产采用18A技术的“Panther Lake”处理器，但量产进度受制于良率表现。英特尔预测，需耗时至2027年初才能使良率达到行业水平。在此之前，工厂将维持弹性产能以避免过度浪费，部分产线可能阶段性闲置。这种“先技术后规模”的策略，与台积电在美国优先量产成熟工艺形成鲜明对比。
这场半导体巅峰对决中，英特尔正以Fab 52为支点，撬动制程与产能的双重革命。若2027年良率目标如期达成，全球芯片制造业的格局或将迎来新一轮洗牌。
来源：维库电子市场网
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