来源：中国电子报、电子信息产业网

在2026年VLSI（超大规模集成电路）国际研讨会上，英特尔宣布Intel 18A系列增强工艺Intel 18A-P进入风险试产阶段。该工艺最大的亮点在于能效升级，和Intel 18A相比，在相同性能下芯片功耗可降低18%，在相同功耗下性能可提升9%，同时具备增强的热特性，在芯片设计上也更灵活，标志着英特尔先进代工业务再获实质性突破。

在芯片制造领域，性能和功耗往往此消彼长：想提速就要加电压、提频率，功耗和发热必然上涨；想省电就得降频，性能也会随之下降。Intel 18A-P凭借多重技术创新突破了这一局限。借助Intel 18A制程节点，英特尔代工已经将全环绕栅极（GAA）晶体管和背面供电（BSPD）技术推向市场。英特尔代工副总裁、英特尔院士Eric Karl介绍了背面供电技术与GAA晶体管的优势：和传统正面布线方案相比，这套新技术能省下11%的芯片布线空间，大幅降低电压损耗，能让芯片运行速度提升最高6%，同时动态功耗下降超15%。英特尔还新增Power Boost能效增强技术，这是Intel 18A-P的全新双接触、低电阻晶体管方案，可在不增加电容的情况下提升驱动电流，并实现更高的运行频率。

除亮眼的能效表现外，18A-P还解决了先进制程普遍面临的散热难题。通过优化热载体晶圆材质与厚度，并搭配热感知EDA工具，新工艺将芯片热阻降低 20%至40%，关键通孔层电阻同步下降10%至30%，从而大幅缓解高负载芯片的发热与信号损耗问题。

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